当前位置:

首 页 > 技术文章 > 三菱IGBT模块适应了当今功率器件的发展方向
目录导航 Directory

技术支持Article

三菱IGBT模块适应了当今功率器件的发展方向

点击次数:359 发布时间:2017-08-08
 三菱IGBT模块适应了当今功率器件的发展方向
三菱IGBT模块是一种结构非常紧凑的智能功率模块,采用压注模封装技术,便于大批量生产,内部比普通IGBT模块集成了IGBT硅片、IGBT驱动及保护电路,非常适用于交流100~200V级小容量电机的变频控制。
三菱IGBT模块是一种先进的功率开关器件,兼有GTR(大功率晶体管)高电流、低饱和电压和高耐压的优点,以及MOSFET(场效应晶体管)高输入阻抗、高开关频率和低驱动功率的优点,而且IPM内部集成了逻辑、控制、检测和保护电路,使用起来方便,不仅减少了系统的体积,缩短了开发时间,也增强了系统的可靠性,适应了当今功率器件的发展方向,IPM在功率电子领域得到了越来越广泛的应用。
三菱IGBT模块的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系.IGBT处于导通态时,由于它的PNP晶体管为宽基区晶体管,所以其B 值极低。尽管等效电路为达林顿结构,但流过MOSFET的电流成为IGBT总电流的主要部分。
三菱IGBT模块的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时,漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制,Ugs 越高, Id 越大。它与GTR 的输出特性相似.也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的IGBT ,正向电压由J2 结承担,反向电压由J1结承担。如果无N+ 缓冲区,则正反向阻断电压可以做到同样水平,加入N+缓冲区后,反向关断电压只能达到几十伏水平,因此限制了IGBT 的某些应用范围。三菱IGBT模块的转移特性是指输出漏极电流Id与栅源电压Ugs之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同,当栅源电压小于开启电压Ugs(th)时IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内, Id 与Ugs呈线性关系。zui高栅源电压受zui大漏极电流限制,其zui佳值一般取为15V左右。





推荐收藏该企业网站
上海快3平台 上海快3 上海快3走势图 上海快3 上海快3 上海快3平台 上海快3 上海快3 上海快3 上海快3