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分享igbt驱动模块的使用

点击次数:321 发布时间:2018-10-26
  igbt驱动模块适于驱动大功率器件,可根据其内部的自保护功能对其应用电路进行安全可靠设计。igbt驱动模块采用双电源驱动,有过流过压检测电路和保证IGBT可靠通断电路。总之,能够安全地驱动开关、变频器中的大功率IGBT。
  igbt驱动模块的特点:
  ●实用范围宽 可应用在数千瓦至数兆瓦的功率范围及实用的耐压要求范围内,几乎可工作在所有的频率及调制模式,适用于任何厂家的模块。
  ●体积小巧、结构紧凑、应用灵活,具有直接和半桥模式可供选择。在半桥模式下,可选用所要求的死区时间。
  ●成本低,具有很高的性能/价格比。除可提供栅极驱动外,还具有检测状况显示及电源隔离等功能,是一种可满足市场所有要求的、经济实用的驱动板。
  ●使用简便。该驱动板的电接口非常简单,可处理5~15V电平的标准逻辑信号。具有施密特触发器输入特性,且对输入信号没有特殊要求。故障传送使用集电极开路输出,可与常用的逻辑电平相兼容。因为驱动板具有所有智能化驱动功能,且驱动信号、状态传送及电源与功率部分完全隔离,所以使用非常简单。在大多数情况下,用智能化scale驱动板来驱动标准igbt驱动模块,比使用智能化igbt驱动模块更加简便,也更加灵活。
  igbt驱动模块的使用:
  1.防止静电 IGBT是静电敏感器件,为了防止器件受静电危害,应注意以下两点:
  ① IGBT模块驱动端子上的黑色海绵是防静电材料,用户用接插件引线时取下防静电材料立即插上引线;在无防静电措施时,不要用手触摸驱动端子。
  ② 驱动端子需要焊接时,设备或电烙铁一定要接地。
  igbt驱动模块的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP 晶体管提供基极电流,使IGBT 导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT关断。igbt驱动模块的驱动方法和MOSFET 基本相同,只需控制输入极N一沟道MOSFET ,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后,从P+ 基极注入到N 一层的空穴(少子),对N 一层进行电导调制,减小N 一层的电阻,使IGBT 在高电压时,也具有低的通态电压。





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