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代理英飞凌BSM200GB120DLC两单元IGBT模块

点击次数:710 发布时间:2010-07-19

代理英飞凌BSM200GB120DLC两单元IGBT模块型号:BSM200GB120DLC
厂家:英飞凌(原EUPEC) 
  电力电子器件的发展经历了晶闸管(SCR)、可关断晶闸管(GTO)、晶体管(BJT)、绝缘栅晶体管(IGBT)等阶段。目前正向着大容量、高频率、易驱动、低损耗、模块化、复合化方向发展,与其他电力电子器件相比,IGBT具有高可靠性、驱动简单、保护容易、不用缓冲电路和开关频率高等特点,为了达到这些高性能,采用了许多用于集成电路的工艺技术,如外延技术、离子注入、精细光刻等。要提高功率MOSFET的耐压能力,势必增加高导通电阻,从而妨碍器件在高电压、大电流范围的应用。针对这些缺陷,20世纪80年代诞生了功率IGBT(绝缘栅双极晶体管)器件,20世纪90年代初进入实用化。近几年来,功率IGBT的性能提高很快,额定电流已达数百安培,耐压达1500V以上,BSM200GB120DLC而且还在不断提高。由于IGBT器件具有PIN二极管的正向特性,P沟功率IGBT的特性不比N沟IGBT差多少,这非常有利于在应用中采取互补结构,从而扩大其在交流和数字控制技术领域中的应用。
    目前,应用在中压大功率领域的电力电子器件,已形成GTO、IGCT、OGBT、IEGT相互竞争不断创新的技术市场,在大功率(1MW),低频率(1kHz)的传动领域,如电力牵引机车领域GTO、IGCT有着独特的优势,而在高载波频率、高斩波频率下,IGBT、IEGT有着广阔的发展前景,在现阶段中压大功率变频领域将由这4种电力电子器件构成其主流器件。
    IGBT BSM200GB120DLCzui大的优点是无论在导通状态还是短路状态都可以承受电流冲击。它的并联不成问题,由于本身的关断延迟很短,其串联也容易。尽管IGBT模块在大功率应用中非常广泛,但其有限的负载循环次数使其可靠性成了问题,其主要失效机理是阴极引线焊点开路和焊点较低的疲劳强度,另外,绝缘材料的缺陷也是一个问题。






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