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英飞凌2单元FF300R06KE3 IGBT模块

点击次数:822 发布时间:2010-07-19

英飞凌2单元FF300R06KE3  IGBT模块
型号:FF300R06KE3
电流:300A
电压:600V 
单元:2  
FF300R06KE3 是英飞凌2单元、300A、600V的KE3系列IGBT模块。KE3系列IGBT具有低饱和压降的特点。西门子 电力半导体器件广泛应用于发电、输配电、电气传动、牵引、电力系统,家用电器、新能源、汽车电子等电力电子设备中。
    IGBT(绝缘栅双极晶体管)是大规模功率集成半导体开关器件。IGBT采用MOS栅输入结构,开关主体是双极晶体管,它兼有MOSFET的高输入阻抗、电压控制特点,又具有双极晶体管低饱和压降的优势;其zui显著特点是高速、高压、大电流。功率开关在功率变换电路里处于核心地位,IGBT是当代功率开关的主流器件。功率半导体器件一直是西门子/Infineon的核心产品,西门子在全球推出新型NPT-IGBT芯片,具有高可靠、低成本的zui优性能价格比。西门子可提供电流从6A到3600A;电压从600V、1200V、1700V、2500V、3300V、到6500V全系列各种封装形式的IGBT模块。频率特性高频差好好续表应用多级放大器中间级,低频放大输入级、输出级或作阻抗匹配用高频或宽频带电路及恒流源
Infineon IGBT采用NPT-IGBT工艺,600V“HS”系列硬开关频率高达100KHz, 1200V“SKW”系列硬开关频率可达40KHz。
   Infineon第三代IGBT,采用沟槽栅+电场终止层(Fieldstop)技术,具有较低的饱和压降,低达1.50V 。Infineon IGBT温升低,有较大的血崩耐量。






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