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IGBT功率模块的小知识
发布时间:2018-11-13 点击次数:102次
  IGBT功率模块的开关特性是由它的内部结构,内部的寄生电容和内部和外接的电阻决定的。在理想状态我们只需要一个零功率的电压信号加在MOS 基极,就可以启动开关。但在实际中在元器件内部电容存储的电荷必须释放,所以需要一个相同开关频率的驱动功率信号。另外,换流过程也受到寄生电感的影响。
  IGBT功率模块的小知识:
  1.在选择IGBT功率模块前需要确定主电路拓扑结构,这个和IGBT选型密切相关。
  2.选择IGBT功率模块需要考虑的参数如下:
  额定工作电流、过载系数、散热条件决定了IGBT功率模块模块的额定电流参数,额定工作电压、电压波动、大工作电压决定了IGBT的额定电压参数,引线方式、结构也会给IGBT功率模块选型提出要求。
  3.IGBT功率模块选择的还需要考虑IGBT的品牌和产地,目前市面上的叫主流的IGBT产品都是进口的,以英飞凌、三菱、富士、赛米控等品牌。国产IGBT功率模块主要在器件设计,工艺和生产制造技术方面,以及整个终端应用的解决方案上面与国外品牌的IGBT功率模块有明显的差距。
  4.进口IGBT功率模块在国内都经过层层经销会在较大程度上影响功率模块的价格,所以购买功率模块的时候尽量选择德意志工业这样的代理商。
  IGBT功率模块的可靠性,是指器件在一定时间内、一定条件下无故障的运行的能力,是功率模块重要的品质特性之一。IGBT是以绝缘栅双极型晶体管成的功率模块。由于IGBT为MOSFET结构,IGBT功率模块的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离,具有出色的器件性能。广泛应用于伺服电机,变频器,变频家电等领域。






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