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什么是IGBT
发布时间:2014-09-05 点击次数:666次
        简单来说就是一三极管。是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。
        IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 绝缘栅双极型功率管 是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。 igbt是vmos和bjt组成,vmos是V型场效应管,电压驱动器件,输入阻抗高,但是输入电容大, igbt是voms在前,bjt在后,好处是在高压大电流应用的时候,后级的bjt压降小,导通电阻的,效率高 非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域 IGBT器件将不断开拓新的应用领域,为节能、节材,为新能源、工业自动化(高频电焊机, 高频超声波, 逆变器, 斩波器, UPS/EPS, 感应加热)提供了新的商机。
        IGBT模块是一种电压控制器件,它的集电极(C极)和发射极(E极)之间导通与否,取决于控制极(G极)与发射极(E极)之间的电压信号。
用万用表可以粗略地判断IGBT管是否已经损坏,正常的IGBT模块的情况如下:
        接入正向控制电压
        将万用表的黑表笔接至IGBT的集电极(C极),红表笔接至IGBT的发射极(E极),同时,在控制极(G极)与发射极(E极)之间接入正向电压。这时,IGBT的C-E极之间应该是导通的。
        撤销控制电压
        撤销G-E极间的正向电压,因为G-E极间的阻抗很大,控制极上的电荷不能立即消失,故在一段时间内,C-E极之间将保持导通状态。
接入反向控制电压
        在G-E极之间接入反向电压,则IGBT的集电极(C极)与发射极(E极)之间应该是截止的。
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